RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
74
Rund um 69% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2096
1779
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link