Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Gesamtnote
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Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB

Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB

Unterschiede

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.3 left arrow 11.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.5 left arrow 5.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 41
    Rund um -64% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    41 left arrow 25
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.3 left arrow 11.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.5 left arrow 5.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2322 left arrow 1837
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