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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
41
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
41
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
5.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2322
1837
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Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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