Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB против Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB

Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    13.3 left arrow 11.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.5 left arrow 5.3
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 41
    Около -64% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    41 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.3 left arrow 11.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.5 left arrow 5.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2322 left arrow 1837
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения