RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
68
92
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
68
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2007
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link