Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.4

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 60

Около -161% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.0 2,168.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 23
Скорость чтения, Гб/сек

4,595.2 15.4
Скорость записи, Гб/сек

2,168.2 9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

941 2458

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Micron Technology AFLD48VH1P 8GB

Micron Technology AFLD48VH1P 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Super Talent F3200UA8G 8GB

Super Talent F3200UA8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

модули RAM