Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Punteggio complessivo
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Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB

Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.3 left arrow 11.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.5 left arrow 5.3
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 41
    Intorno -64% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    41 left arrow 25
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.3 left arrow 11.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.5 left arrow 5.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2322 left arrow 1837
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