RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Confronto
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
6.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
41
Intorno -21% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
34
Velocità di lettura, GB/s
13.3
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
6.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2322
1693
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link