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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Puntuación global
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Puntuación global
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Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.3 left arrow 10
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 6.2
    Valor medio en las pruebas
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    34 left arrow 41
    En -21% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 34
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.3 left arrow 10.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 6.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2322 left arrow 1693

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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