RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
33
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
5.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2096
1806
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link