RAM-Vergleich Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Gesamtnote

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

18.1 13.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.0 9.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 10600

Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2096 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns