RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.4
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
3317
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link