RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
40
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
17.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2209
3929
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link