RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
40
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
18.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2209
3529
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link