RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
40
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2209
2641
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link