RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2282
3273
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link