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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Compara
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2282
3273
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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