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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
48
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
48
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2196
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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