RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gesamtnote
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2282
2013
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link