RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
44
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
15.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2193
3432
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link