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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,027.0
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
52
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,837.1
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,027.0
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
794
3310
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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