RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,027.0
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
52
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,837.1
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,027.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
794
3437
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link