RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,027.0
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
52
Около -86% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,837.1
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,027.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
794
3437
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link