RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
no data
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
, 1.20000005, CAS Supported:
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3043
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link