RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
5.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
5.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1535
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link