RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
45
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
5.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
5.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1535
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link