Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 45
    Wokół strony 44% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 5.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 8.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 12800
    Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    25 left arrow 45
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 5.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 8.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2764 left arrow 1535
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania