RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
75
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
2,135.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,021.4
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,135.0
7.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
1763
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link