RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
40
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
2965
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link