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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
40
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
40
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2965
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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