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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
28
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3167
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
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