RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
73
En 47% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
73
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
1853
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link