RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
73
Intorno 47% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
73
Velocità di lettura, GB/s
11.7
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
1853
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link