RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
76
Rund um 62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
6.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
1260
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link