RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
76
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
76
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
10.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
1260
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link