RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2831
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link