RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
2831
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link