Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Puntuación global
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Puntuación global
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Shenzhen Technology Co Ltd  8GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 32
    En 22% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.9 left arrow 15.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.9 left arrow 9.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 15.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.8 left arrow 11.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2646 left arrow 2831
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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