RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
62
Rund um -138% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,670.6
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
3124
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link