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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
21.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
62
Rund um -170% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,670.6
21.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
16.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
4151
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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