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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
62
Rund um -158% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,670.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
3230
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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