RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
62
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,670.6
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
10.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
2984
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link