RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
80
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2,378.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
80
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,670.6
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
1775
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link