RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
62
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,670.6
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
2179
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link