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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gesamtnote
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
62
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,670.6
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
10.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
2680
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M379B5273DH0-YK0 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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