RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2703
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link