RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2703
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link