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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
3122
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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