RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2855
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link