RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
26
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2855
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link