RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2855
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link