RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2855
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link